通知
中華民國110年11月29日
聯絡人:楊弘道組長、何鴻裕專員
電話:2717162/傳真:2717165
一、本案係科技部111年度「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」案,自即日起受理申請,依來文須於111年1月26日(星期三)前文抵科技部,請有意申請教師於111年1月19日(星期三)晚上12時前完成線上申請作業,並於111年1月20日(星期四)中午12時前列印申請書首頁送至本處彙辦。
二、本計畫目標為因應在電源、混合動力與電動車、B5G/6G高頻元件/系統等應用,將以國內矽基半導體和光電產業為基礎,擴展次世代化合物半導體領域,研究項目分成兩個分項,分項內容如下:
(一)B5G/6G高頻通訊關鍵半導體技術:專注於氮化鎵(GaN)、磷化銦(InP)於超高速的元件技術開發。
(二)下世代寬能隙高壓功率半導體技術:專注於氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、氧化鎵(Ga2O3)及鑽石(Diamond)等寬能隙材料。
三、本計畫以單一整合型計畫為限,每一整合型計畫之總計畫及所有子計畫全部書寫於一份計畫書,子計畫應為3個(含)以上,最多以不超過6個為原則。總計畫主持人須同時主持1項子計畫,各主持人應實質參與研究,計畫書應詳實註明各主持人負責之研究主題,整合之計畫需有整體明確的目標,並由總計畫主持人之服務機關提出申請。本計畫申請人應規劃四年(111 年 5 月 1 日至 115 年 4 月 30 日止), 採分年核定多年期計畫方式辦理,每年度申請總額度以不超過2,200萬元為原則。
四、本案相關申請詳細資訊請參閱徵求公告。
五、檢送來文及相關附件如附檔,請各單位協助轉知所屬知悉。
此致
各學院
研究發展處敬啟